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PD- 91792A
IRL3215
HEXFET ? Power MOSFET
l
l
l
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
D
V DSS = 150V
l
l
l
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
G
S
R DS(on) = 0.166 Ω
I D = 12A ?
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced
processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.
This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device
design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the
designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety
of applications.
The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial
applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low
thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide
acceptance throughout the industry.
Absolute Maximum Ratings
TO-220AB
Parameter
Max.
Units
I D @ T C = 25°C
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
12 ?
I D @ T C = 100°C
I DM
P D @T C = 25°C
V GS
E AS
I AR
E AR
dv/dt
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Pulsed Drain Current ?
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Avalanche Energy ?
Avalanche Current ?
Repetitive Avalanche Energy ?
Peak Diode Recovery dv/dt ?
8.5
48
80
0.53
±16
130
7.2
8.0
5.0
A
W
W/°C
V
mJ
A
mJ
V/ns
T J
T STG
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torque, 6-32 or M3 srew
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
10 lbf?in (1.1N?m)
°C
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
R θ JC
Junction-to-Case
–––
1.9
R θ CS
R θ JA
www.irf.com
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
0.50
–––
–––
62
°C/W
1
07/22/11
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